‘상록수 보도’ 경향신문 김경민·배재흥 기자 ‘이달의 기자상’ > 온라인문의

‘상록수 보도’ 경향신문 김경민·배재흥 기자 ‘이달의 기자상’

페이지 정보

작성자 이진숭
댓글 0건 조회 0회 작성일 26-06-22 15:05

본문

한국기자협회는 제429회(2026년 5월) 이달의 기자상 수상작으로 경향신문 김경민(왼쪽 사진)·배재흥(오른쪽) 기자의 ‘배드뱅크 상록수 약탈금융 실태’ 보도 등 8편을 선정했다고 18일 밝혔다.
경제보도부문 수상작으로 선정된 이 기사는 상생금융을 외치던 금융회사들이 뒤에선 ‘상록수’라는 유동화전문회사를 통해 20년 넘게 장기 연체채권 추심으로 이익을 얻어온 실태를 고발했다. 보도 이후 사각지대였던 유동화전문회사의 장기 연체채권 문제가 드러나 해당 채권이 새도약기금으로 매각되는 등 후속 조치가 이어졌다.
시상식은 오는 30일 오전 서울 중구 한국프레스센터에서 열린다.
김용현 전 국방부 장관이 12·3 불법계엄 선포 이후 ‘부정선거 의혹’ 수사를 위해 정보사령부 요원들의 인적사항을 민간인에게 누설한 혐의로 1심에서 징역 3년을 선고받았다. 법원은 김 전 장관의 행위가 실체적 요건을 갖추지 못한 계엄이 선포될 수 있도록 한 동력이 됐다고 지적했다.
서울중앙지법 형사합의21부(재판장 조순표)는 19일 김 전 장관의 군형법상 군사기밀 누설, 개인정보보호법 위반 혐의를 모두 유죄로 인정하고 징역 3년을 선고했다.
재판부는 “피고인은 국방장관으로서 군사기밀을 보호해 국가안보질서를 확립할 의무가 있었고, 군사기밀이나 특수임무요원의 인적사항을 보호할 필요성도 누구보다 잘 알고 있었다”며 “그런데도 군의 지휘체계를 이용해 민간인 노상원에게 자유롭게 정보사 인적사항에 접근하도록 하는 데 결정적인 역할을 수행해 가장 엄중한 책임을 묻지 않을 수 없다”고 밝혔다.
이어 “피고인의 범행은 아무런 실체적 요건을 갖추지 못한 계엄이 선포될 수 있도록 하는 동력 중 하나가 됐다”며 “단순한 군기누설이나 개인정보보호법 위반의 죄책만으로 평가할 수 없다”고 했다. 그러면서 “피고인은 현재까지 이 사건 범행과 그에 따른 결과에 대해 아무런 반성을 하고 있지 않다”고 질타했다.
김 전 장관은 12·3 불법계엄 선포 전인 2024년 10~11월 정보사 요원 40여명의 이름 등 인적 사항을 민간인이던 노상원 전 국군정보사령관에게 전달되는 데 관여한 혐의로 기소됐다. 당시 문상호 전 국군정보사령관은 김용현 전 장관으로부터 “노상원 장군이 하는 일을 잘 도우라”는 전화를 받았고, 정보사 대령들과 함께 ‘부정선거 수사’에 투입할 요원들을 선발해 노상원 전 사령관에게 명단을 전달한 것으로 조사됐다.
이날 선고 이후 김 전 장관 측은 “군사 비밀로 지정도 등재도 하지 않은 것을 ‘비밀’이라고 해서 군인 임무 수행 전부를 정권 입맛대로 처벌할 수 있게 한 잘못된 판결”이라고 반발하며 항소하겠다고 밝혔다.
앞서 정보사 요원들의 인적사항이 적힌 명단을 넘겨받은 혐의로 기소된 노상원 전 사령관은 개인정보보호법 위반 혐의 등으로 지난달 대법원에서 징역 2년을 확정받았다. 노 전 사령관은 부정선거 수사가 아니라 대량 탈북 사태에 대비해 요원 명단을 추렸던 것이라고 주장했지만 1심과 2심 법원에 이어 대법원에서도 최종 기각됐다.
김 전 장관은 12·3 내란 이후 총 4개 형사 재판을 받아왔다. 김 전 장관은 지난 2월 내란 중요임무종사 혐의로 1심에서 징역 30년을 선고받았고, 항소심이 진행 중이다. 또 내란 명분을 만들기 위해 북한에 무인기 침투 작전을 지시한 혐의, 민간인 노 전 사령관에게 비화폰을 지급한 혐의로도 1심에서 각각 징역 30년과 징역 3년이 선고됐다.
삼성전자와 SK하이닉스 간 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공급 경쟁이 달아오르고 있다. 올해 초 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 선점 경쟁을 벌인 두 회사가 불과 3주 차이로 HBM4E(7세대) 샘플 공급을 본격화하는 등 차세대 메모리 주도권 다툼이 고조되는 양상이다.
SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. 이번 제품은 핀당 최대 16Gbs의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선하는 등 6세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율이 개선됐다는 게 회사 측 설명이다.
용량 면에선 ‘어드밴스드 MR-MUF 공정’을 적용해 12단 적층 기준 48GB를 구현했고, 열 저항도 HBM4 대비 17% 낮췄다. 이는 칩과 칩 사이의 회로를 보호하기 위해 액체 형태 보호재를 주입해 굳히는 공정이다.
SK하이닉스의 7세대 HBM4E 샘플 공급 일정은 지난 4월23일 실적 컨퍼런스콜에서 밝힌 올 하반기 예정에서 다소 앞당겨졌다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해갈 수 있는 기반을 마련했다”고 밝혔다.
앞서 삼성전자도 지난달 29일 HBM4E 12단 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 데이터 처리 속도와 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트) 대역폭을 제공한다.
용량은 48GB이며, 고객사의 환경에 맞춰 32GB·64GB(8단·16단)까지 가능하다. 삼성전자는 이달 초 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서는 HBM5(8세대) 실물 모형까지 공개했다.
삼성전자와 SK하이닉스가 약 3주 간격으로 HBM4E 샘플 공급에 나서면서 차세대 메모리 주도권 경쟁이 더욱 치열해지고 있다.
특히 HBM의 ‘두뇌’인 베이스 다이(로직 다이) 경쟁이 핵심 승부처로 부상했다. 베이스 다이는 HBM 맨 아래에 위치한 칩으로 전력·신호를 제어하는 역할을 한다. ‘추론 AI’의 본격 확산으로 데이터 처리 속도는 물론 발열 관리와 전력 효율 등 베이스 다이 성능이 메모리 전체 성능을 결정할 수도 있는 변수로 떠올랐다.
삼성전자는 HBM4부터 베이스 다이에 파운드리사업부의 4나노 공정을 적용하며 업계 표준보다 높은 11.7Gbps 동작 속도를 구현했다고 밝혔다.
그동안 메모리 반도체 자체 공정을 베이스 다이에 적용한 SK하이닉스도 HBM4·HBM4E부터는 TSMC의 최선단 공정을 적용하고 있다.
고객사들의 특성과 요구에 맞춰 전력 효율이나 연산 역량을 강화하는 ‘커스텀 HBM’ 흐름이 가속화하며 두 기업은 차별화된 전략을 내세우고 있다.
삼성전자는 메모리, 파운드리, 로직을 모두 갖춘 ‘종합반도체’ 역량을 부각하고, SK하이닉스는 시장 점유율과 엔비디아·TSMC와의 ‘삼각동맹’에 기반한 안정적 양산 능력을 강조하는 식이다.
업계 관계자는 “AI발 메모리 품귀 현상에 더해 빅테크들의 자체 AI칩 개발 경쟁에도 속도가 붙으면서 HBM 공급 경쟁이 더욱 달아오를 것으로 전망된다”고 말했다.

이전글폰테크 이혼전문변호사 26.06.22
다음글출장용접 출장용접 폰테크 26.06.22

댓글목록

등록된 댓글이 없습니다.

온라인문의

온라인문의

페이지 정보

본문

댓글목록

이메일무단수집거부